
2025 L9: Time dependent dielectric breakdown (2)
2025 L9: Claquage diélectrique dépendant du temps (2)
Thema TJFD

2025 L9: Claquage diélectrique dépendant du temps (2)

2025 L8: Charges d'interface et instabilité de température de polarisation (2)/Claquage diélectrique dépendant du temps

2025 L7: Charges d'interface et instabilité de température de polarisation (1)

Conférence prestigieuse sur les semi-conducteurs à Purdue, présentée par Anthony Yen, ASML
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2025 L4 : Dispositifs électroniques : comment ils fonctionnent et sont fabriqués/Défauts, contaminants, rendements(1)

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L'avenir des technologies matérielles pour l'informatique

De l'idée au produit : faire le pont entre la conception et la fabrication de semi-conducteurs

Pourquoi l'avenir des puces se construit dans le désert

2025 L3: Un aperçu des dispositifs électroniques et de leur fiabilité (2)

Une nouvelle ère de l'électronique à semi-conducteurs - Partie 2

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2025 L1: Introduction_半導體元件可靠度及其失效物理 Fiabilité et physique des défaillances des dispositifs à semi-conducteurs
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Apprentissage automatique dans la fabrication de semi-conducteurs




La prochaine grande nouveauté dans le domaine des semi-conducteurs

(NOUVEAU !) Nouveau matériau semi-conducteur : Wow (Top 5 des avancées technologiques de 2024)




Couche de déplétion (2) : Équation de Poisson et largeur dérivée

Jonction PN à l'équilibre thermique (3) : Potentiel de diffusion

Junction PN en équilibre thermique (1) : Intro

MOSFET: Effet de modulation de longueur de canal expliqué



Procédé semi-conducteur Lecture8 Intégration de processus

Processus de semi-conducteurs Lecture7 métallisation 4 201125

Processus de semi-conducteurs Lecture7 metallization 3 201123